华微电子举行 新基建-芯片制造的新风口京媒交流会
2020年8月12日，吉林华微电子在北京银泰中心会议大厅，举行了“新基建-芯片制造的新风口”华微电子京媒交流会。中国工程院院士周济，中国企业联合会、中国企业家协会常务理事、工业和信息化科技成果转化联盟专家委员会主任陈玉涛，北京大学物理系教授、宽禁带研究中心负责人沈波等嘉宾莅临现场，对功率半导体、新材料、新技术发展趋势进行报告，对华微电子产品、技术发展等给予高度认可。华微电子客户深圳麦格米特、上海纯米技术、深圳高斯宝电气、深圳创维电气、苏州汇川均有代表参会。同时，在京30多家知名媒体记者也莅临了此次交流会。华微电子产品在新基建的应用本次京媒交流会上最大亮点，是华微电子向媒体着重介绍的新能源汽车上的核心器件——系列IGBT产品。正在研发的DSC双面模块，可大幅度缩小电机的体积，提高新能源汽车的续航里程，这也是消费者最关心的痛点之一。华微电子产品总监杨寿国在会上介绍，由于功率半导体器件是电能转换的核心，因此如果把IC比作新基建的大脑，那么功率半导体便是新基建的“心脏”。新基建为半导体产业提供了更加丰富的应用场景，使得功率半导体芯片的需求将更加趋于旺盛。在本次京媒交流会上，华微电子还向媒体介绍了在新基建领域中，富含科技水平的关键产品具体应用。新能源汽车充电桩，我国新基建将大力发展新能源汽车，与之配套的新能源汽车充电桩需求不断增加。华微电子在充电桩领域，三相维也纳输入整流（PFC）部分可以使用FRED和超结MOSFET，在LLC谐振电路可以使用超结MOSFET，在输出输出整流部分可以提供FRD和SiC SBD的解决方案。服务器电源，是新基建中的大数据中心建设中不可或缺的重要支撑，数据中心服务器的电源和输出整流部分，需要大量的超结MOS和中低MOS器件。华微电子的600~650V超结MOS导通电阻可以做到35毫欧，中低MOS电阻可以做到2毫欧，能够高效率的电力转换，数据中心建设提供有力支撑。5G基站，5G网络建设的基础是5G基站的大规模建设，根据工信部数据显示，2019年我国自正式启动5G商用，全国开通的5G基站12.6万个，预计2020年将建设超过60万~80万个5G基站， 5G通信电压在PFC、DC/DC、同步整流、电池保护部分功率半导体器件不可或缺，华微电子可以提供超结MOSFET、中低压MOSFET和SiC产品。工业互联网，是把人、数据和机器连接起来，是工业的第三次浪潮；华微电子致力于工业变频应用的功率器件的制造与研发，为中国工业互联网的发展提供坚实的中国制造基础。能够提供包括IGBT、IPM、PM模块和MOSFET产品的解决方案。华微电子迎来内循环经济发展新风口华微电子是中国功率半导体器件行业的头部领军企业，华微电子产品覆盖功率半导体所有分支，作为国内门类最齐全的功率半导体器件IDM企业，未来，在5G、人工智能、工业互联网等领域，华微电子的身影都不会缺席。恰逢提出要大力发展中国内循环经济之际，华微电子“新基建-芯片制造的新风口”京媒交流会的举行，预示着在国家新基建的风口下，在内循环经济战略下，华微电子将会迎来更大的发展机遇，继续助力中国半导体事业开拓创新。
